热缺陷是由于晶体中的原子的热运动而造成的缺陷。
从几何图形上看是一种点缺陷。
晶体中热缺陷有两种形态,一种是肖脱基缺陷,另一种是弗仑克尔缺陷。
肖脱基缺陷是由于热运动,晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置,跑到晶体表面或晶界位置上,构成一层新的界面,而产生阳离子空位及阴离子空位,不过,这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。
肖脱基缺陷实际产生过程是:由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位,然后,内部邻近的离子再进入这个空位,这样逐步进行而造成缺陷。
弗仑克尔缺陷形成过程为:一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去,形成所谓间隙离子,而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。
这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。
弗仑克尔缺陷除与温度有关外,与晶体本身结构也有很大关系,若晶体中间隙位置较大,则易形成弗仑克尔缺陷。
晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流,与普通机械开关不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。